為國產晶元「沸騰」被狙,愛國畫手烏合麒麟「道歉」轉「對線」的背後是什麼?

為國產晶元「沸騰」被狙,愛國畫手烏合麒麟「道歉」轉「對線」的背後是什麼?導  讀

著名愛國畫手@烏合麒麟出於自豪的一段配文,竟使其成為眾矢之的,連續的道歉到後來的對線,是國內半導體行業太敏感還是大眾缺乏「較真兒」的態度。

為國產晶元「沸騰」被狙,愛國畫手烏合麒麟「道歉」轉「對線」的背後是什麼?

晶元現在有多火呢?火到甚至連八竿子打不著邊兒的畫手都摻和進來了。

 上周日,以時政諷刺畫一戰成名的愛國畫手@烏合麒麟繼一天連續兩次發表「道歉聲明」後再一次登上熱搜,這次「新作品」一改日前「畫風」,從「道歉」直接改為「對線」,要從「科學和邏輯的角度」跟網友們論一論「國產14nm晶元這件事兒」。

畫手跨行業「沸騰」被懟

本次事件的起因要從6月24日@烏合麒麟轉發一位數碼博主@菊廠影業Fans轉發的一則新聞的配文說起。轉發原文是來自於環球網採訪中國電子信息產業發展研究院電子信息研究所所長溫曉君的文章,原標題為《溫曉君談14nm晶元量產:曙光就在眼前》(現標題為《專家談14nm晶元量產:曙光就在眼前》)

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圖片來源:觀察者網

被轉發的這篇新聞中溫曉君詳細介紹了國產14nm晶元的發展以及現狀,在對國產晶元未來寄予厚望的同時,也表明了我們與世界第一梯隊代工企業之間存在的代差仍舊很大。但文中一些不嚴謹的表述曲解了溫曉君的原本意思(目前原文章開頭稱「國產14nm晶元有望在明年實現量產」這句話已經刪去。)

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圖片來源:觀察者網

與此同時,在@菊廠影業Fans的微博里,有爆料稱華為海思半導體公司生產的晶元疊加實現了「1+1>2」,即能將兩個低製程晶元進行疊加優化,14nm晶元經過優化和新技術支撐也可以比肩7nm晶元的性能,並稱「功耗和熱度不錯」

 出於對文中提及的國產半導體技術突破而感到的喜悅,@烏合麒麟在轉發時配文「封鎖著封鎖著我們就什麼都有了」。 

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圖片來源:觀察者網

然而,隨後@烏合麒麟為國產晶元技術取得突破的欣喜行為就被廣大網友所質疑和攻擊,連同@菊廠影業Fans兩人被網友一起嘲諷為「兩杯50度的水,倒在了一起成了100度」。 

隨著時間的推移,群嘲開始變本加厲,網友們稱其「什麼都不懂瞎沸騰」。更有一些數碼博主認為他們作為有影響力的博主,在不了解國內半導體產業現狀的情況下盲目吹捧,低估了行業難度,「對國產晶元的盲目吹捧會阻礙行業進步」,甚至有網友稱@烏合麒麟「以一己之力毀了國產晶元發展」。 

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圖片來源:觀察者網

而後@烏合麒麟在26日上午突然就此事發表長文道歉,隨後因為「陰陽怪氣」的道歉內容衝上熱搜。更有意思的是,在第一條道歉微博被吐槽背景底色晃眼後,@烏合麒麟又對此發布了一條道歉聲明,但底色依舊沒改,顯示了「我道歉,但我不改」的態度。 

為國產晶元「沸騰」被狙,愛國畫手烏合麒麟「道歉」轉「對線」的背後是什麼?

圖片來源:觀察者網

在@烏合麒麟道歉後,原來提出「兩杯50度水相加」類比的博主@Blood旌旗稱,前者作為轉發方責任不大,應該是@菊廠影業Fans的說法存在問題。但在27日,@烏合麒麟卻一改日前的話鋒,發文稱「本人因昨日道歉陰陽怪氣而遭到部分網友合理質疑,現改回昨日道歉,並從科學和邏輯的角度論述一下這件事。」

道歉改對線,這招確實又不高

在點名最開始「帶節奏」的@Blood旌旗後,@烏合麒麟稱自己雖然不了解數碼圈,但不想看到網友那相關「智障類比亂帶節奏」。他稱自己查閱資料後認定這種晶元疊加技術確實存在,叫「3D封裝」,並稱「英特爾正是靠這種3D堆疊技術使得14nm晶元的功效和台積電7nm甚至5nm的功效打得有來有回的」,還曬出了查閱結果和資料。

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@烏合麒麟稱,查閱資料只為認定這種技術確實存在,「我的知識儲備就能理解到這,往後面就觸及到我知識盲區了」。同時他認為@菊廠影業Fans只是「措辭不太嚴謹地表述了正在研發此類技術而已」。他自己目前唯一不能證實的是海思是否正在研發這項技術或者明年年底會不會有實驗機型,這屬於公司機密無法證實,並不代表這是「造謠」,網路上質疑晶元疊加技術的人同樣沒能拿出證偽證據。

 3D封裝技術確實存在,晶元堆疊優化技術也真實,所以他不贊同任何「烏合麒麟轉發不實言論」的說法,並希望部分網友以科技為本,不要「帶節奏」。 

為國產晶元「沸騰」被狙,愛國畫手烏合麒麟「道歉」轉「對線」的背後是什麼?

圖片來源:觀察者網

對於@烏合麒麟的指責,@Blood旌旗在回復的長文中否認了自己在帶節奏,並曝光了自己給@烏合麒麟的私信,表達自己不是有意針對,只是不想讓「科技圈被瞎吹坑的不輕」的歷史重演,還稱大多數人希望半導體好好發展。 

同時長文中也質疑@烏合麒麟曬出的技術資料存在問題,先就「英特爾靠3D堆疊技術使得14nm晶元的功效和台積電7nm甚至5nm的功效打得有來有回的」說法提出懷疑,後稱儘管疊加晶元可能讓性能翻倍,「但因為發熱太高導致晶元降頻,性能更低」的可能性也存在,稱存儲結構相對簡單、頻率很低的晶元才能大規模進行3D堆疊。但並未論證「3D堆疊技術不存在」。 

隨後@烏合麒麟又做出反擊,稱@Blood旌旗在偷換概念,列舉「此堆疊不是彼堆疊」和「這個技術不好用」,但自己只想關注兩個問題:兩杯水類比是否準確?堆疊技術「存在或者不存在」——多個低製程晶元可否通過3D封裝的技術在某些特定環境下(比如軟體分跑或其他實驗室環境中)實現性能增幅?

1+1能否大於2

3D堆疊技術到底存不存在,答案是存在。 

知乎用戶@西從南來表示,英特爾並沒有把3D堆疊技術用在14nm上,而是用在10nm上,並且也無法證明@烏合麒麟後一段「和台積電7nm甚至5nm的功效打得有來有回」的結論。 

英特爾的單晶元3D堆疊技術是把核心邏輯電路部分用10nm工藝實現,其他部分用22nm/14nm工藝實現,這樣可以降低生產難度和提升良率。但@西從南來也指出這與@烏合麒麟所轉發的堆疊技術並不相同。 

也有知乎用戶@鋼鐵鹹肉指出,14nm+14nm≠7nm,這並不是合成大西瓜。他表示,理論而言把兩塊相同面積、同樣型號的晶元進行堆疊封裝,確實可以間接實現在面積不變的前提下,晶體管數量翻倍。目前主流大廠也有這方面的研究,但是就性能而言,14nm+14nm=7nm相當可笑。 

首先晶體管的製程未變,單個晶體管的體積並未縮小,功耗還是原來的功耗,疊加之後功耗乘二,散熱也會翻倍;其次同等面積下晶體管數量翻倍,但堆疊封裝後體積會變大,晶體管集成度反而會下降;再者晶元中的控制單元和運算單元勢必要重新設計,單純物理堆疊封裝反而降低了可靠性;最後由於功耗巨大,為了保證元件不被燒毀勢必需要降低性能,最後成品可能比單個14nm晶元強,但也完全不會和單個7nm晶元的性能在同一等級。 

為國產晶元「沸騰」被狙,愛國畫手烏合麒麟「道歉」轉「對線」的背後是什麼?

另據相關消息顯示,華為爆出的「雙芯疊加」專利確實能夠大大提升14nm晶元的性能,但比肩7nm還存在巨大差距。雙芯疊加層級運用於設計和生產初期,也就是說在設計過程中將原來的一顆晶元設計成雙層晶元然後利用自己獨特的技術,來將這兩層晶元封裝在一顆晶元中,通過同步信號方式與一些其他方法就可以激活雙層晶元共同發力,從而實現晶元性能突破。

 對於華為的「雙芯疊加」目前還有太多疑問,比如文中很多模稜兩可的詞語「獨特的技術」「其他方法」等等,如果不較真的看待,其背後的科學意義似乎更值得討論。

 對於科技從業者來說,較真兒是最端正的態度;對於烏合麒麟一樣的普羅大眾而言,為國內科技進步而沸騰也並無他錯。其實這件事雙方都沒有錯,只能說錯就錯在「不在其位,不解其味」罷了。

補充:畫畫的就好好畫畫,理工生的事,哪是文科生能懂的。唉,做好本職工作。

參考資料:

1.《烏合麒麟撤回道歉,直接對線》,觀察者網

2.《笑死在@烏合麒麟 的道歉聲明裡…》,觀察者網

3.《畫手烏合麒麟撤回道歉,14nm+14nm=7nm,到底行不行?》, EDN電子技術設計

4.《什麼是「雙芯疊加」技術?》, OFweek電子工程

5.http://www.zhihu.com/question/467797731


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